参数特征
① 最高工作温度:预热腔400℃，真空腔300℃
② 极限真空度:≤1Pa
③ 镀膜厚度:5~10nm
④ 产能:12000P/hr
⑤ 压升率:1Pa/hr
设计优点
① 加热速度快，腔体内温度分布均匀。
② 生长膜厚可精确控制，均匀性在1nm以内。
③ 真空密封性好，泄露率低。
④ 硅片生成工艺膜后，能快速冷却，节省时间。
⑤ 上下料所用时间短，生产效率高。
⑥ 占地面积小，节能可靠。
⑦ 特气消耗量小，有效降低生产成本
带来利处
① 166~177规格硅片，每小时镀膜16000片；
② 177~182规格硅片，每小时镀膜12000片；
③ 182以上规格硅片，每小时镀膜11000片。
交付周期
① 预付款到账后100天
