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晶体生长炉 KX240(1200)MCZ
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晶体生长炉 KX240(1200)MCZ

型号:KX240(1200)MCZ
类目:硅(锗)基 半导体
研发:研发中心事业部&美国LCT
详细介绍

参数特征

型号: KX240(1200)MCZ

炉室内径:φ1200mm;

副室内径:φ400mm

副室高度:3000mm-4000mm可定制;

喉口直径:φ400mm

籽晶提升速度:0~508mm/hr or ± 0.25 mm/hr,两者取其大;

籽晶提升快速(标称):400mm/min

籽晶转速及精确值:0~30 RPM±1%S.P, or ±0.05RPM,两者取其大;

坩埚提升速度及精确值:0-127 mm/hr ± 1% S.P,   or ± 0.25 mm/hr,两者取其大;

坩埚提升快速(标称)127mm/min

坩埚转速及精确值:0-20 RPM ± 1% S.P , or± 0.03 RPM ,两者取其大;

电源类型:IGBT,可选配带谐波治理功能;

过滤罐:可选自清洁型、两个并联安装等配置

主泵:干式真空泵(可变频),副泵:油泵/一拖多干式真空泵

可拉晶体直径:最大12英寸

可拉晶体类型:N型/P型;

可装热场尺寸:26英寸;

装料量:330kg 。


优点利处

① 应用领域:重掺;

② 腔体材质:内层:进口316L不锈钢,外层: 304L不锈钢;

③ 腔室洁净度:镜面精密抛光,适宜各重掺和轻掺的硅单晶生长;

④ 整机优异的刚性性能;

⑤ 运动部件引起的振动、冷却水湍流等方面的隔振技术;

⑥ 保护气体进气:1)水冷套内外各一路, 2)副炉室顶部一路;

⑦ 应用高精度气体质量流量计+ 进口真空计 + 高精度蝶阀,气体质量流量计 :流量精度:± 0.2% F.S;控压精度: ± 0.5%;

⑧ 并联双罐在线自动切换,气体吹扫在线清理系统;

⑨ 进口称重传感器:精度在+/- 0.5kg 公斤以内;

⑩ 增加相机测温和调温功能(视觉直径测量、液位测量和温度测量);

⑪ 液面与导流筒的相对位置动态数据全程采集、记录;

⑫ 报警和安全保护:液面异常下降、抽空口温度异常、炉内压力异常、冷却水超温、功率故障等;

⑬ 在出现拉晶断棱回熔以及硅料复投等非正常拉晶工艺时,都可从系统中选择相应的自动工序来运行;

⑭ 恒拉速等径控制;

⑮ 引颈自动预热、熔接和调温;

⑯ 有自己的整机验证、热场和长晶工艺技术验证,有基础的热场和长晶工艺;

⑰ CCz系统、及长晶工艺和控制技术,行业内领先;

⑱ 应用CCz技术,为某晶片厂商代工,指标优异;

⑲ 固体连续掺杂:红磷;

⑳ 晶体电阻率:Min:1mΩ*cm;(行业内一般为Min:2mΩ*cm)。


交付周期

    主设备预付款到账后 90天 (辅助设备、重要辅材类视市场情况而定)