参数特征
①型号： KX320MCZ ；
②炉室内径：φ1300mm；
③副室内径：φ400mm
④副室高度：3500 ～4500mm可订制；
⑤喉口直径：φ400mm ；
⑥籽晶提升速度：0~508mm/hr or ± 0.25 mm/hr，两者取其大；
⑦籽晶提升快速（标称）：400mm/min
⑧籽晶转速及精确值:0~30 RPM±1%S.P, or ±0.05RPM，两者取其大；
⑨坩埚提升速度及精确值：0-127 mm/hr ± 1% S.P, or ± 0.25 mm/hr，两者取其大；
⑩坩埚提升快速（标称）：127mm/min
⑪坩埚转速及精确值：0-20 RPM ± 1% S.P , or± 0.03 RPM ，两者取其大；
⑫电源类型：IGBT，可选配带谐波治理功能；
⑬过滤罐：可选自清洁型、两个并联安装等配置；
⑭主泵：干式真空泵（可变频），副泵：油泵/一拖多干式真空泵；
⑮磁场选配范围：拉直径≤8英寸晶体，可选配CUSP磁场；拉8～12英寸晶体，可选配超导磁场；
⑯可拉晶体直径：最大12英寸；
⑰可拉晶体类型：N型/P型；
⑱可装热场尺寸：32英寸；
⑲装料量：440kg 。
优点利处
应用领域：轻掺、磁控；
②腔体材质：内层：进口316L不锈钢，外层： 304L不锈钢；
③腔室洁净度：镜面精密抛光，适宜各重掺和轻掺的硅单晶生长；
④运动部件引起的振动、冷却水湍流等方面的隔振技术；
⑤保护气体进气：1）水冷套内外各一路，2）副炉室顶部一路；
⑥应用高精度气体质量流量计+ 进口真空计 + 高精度蝶阀，气体质量流量计 ：流量精度：± 0.2% F.S；控压精度： ± 0.5%；
⑦并联双罐在线自动切换，气体吹扫在线清理系统；
⑧进口称重传感器：精度在+/- 0.5kg 公斤以内；
⑨增加相机测温和调温功能(视觉直径测量、液位测量和温度测量)；
⑩液面与导流筒的相对位置动态数据全程采集、记录；
⑪报警和安全保护：液面异常下降、抽空口温度异常、炉内压力异常、冷却水超温、功率故障等；
⑫在出现拉晶断棱回熔以及硅料复投等非正常拉晶工艺时，都可从系统中选择相应的自动工序来运行；
⑬恒拉速等径控制；
⑭引颈自动预热、熔接和调温；
⑮配置国际领先品牌磁场，中心场强可达4000GAUSS，磁场分布均匀，利于生长高品质半导体晶体。
交付周期
① 主设备预付款到账后 90天 （辅助设备、重要辅材类视市场情况而定）
