产品详情
晶体生长炉 KX320-600
分享到:

晶体生长炉 KX320-600

型号:KX320-600
类目:硅(锗)基 半导体
研发:研发中心事业部&美国LCT
详细介绍

参数特征

型号:KX320-600;

炉室直径:φ1300mm;

下炉室高度:400mm;

上炉室高度:1249mm;

高温计端口位置:炉底盘上方836mm;

下副室直径:φ650mm;

下副室高度:2000mm;

上副室直径:350mm;

上副室高度:1200mm;

旋片阀喉口直径:φ650mm;

籽晶提升速度:0~508mm/hr;

籽晶提升快速(标称):400mm/min;

籽晶转速及精确值:0~30 RPM±1% S.P.or ±0.05RPM ,两者取其大;

坩埚提升速度及精确值:0-127 mm/hr ± 1% S.P.or ± 0.25 mm/hr ,两者取其大;

坩埚提升快速(标称):127mm/min;

坩埚转速及精确值:0-20 RPM ± 1% S.P , or± 0.03 RPM ,两者取其大

取光口:可在副室顶部、炉盖上部、主炉室侧部配置取光口,标配CCD测温系统。


优点利处

世界首台拉制24英寸晶体单晶炉;

喉口直径650mm,最大可拉制600mm单晶硅棒;

可配置内置石英筒加料器,实现一炉拉制多根晶棒;

控制可实现快速收尾,配置水冷板,提高生产效率

可预留磁场升降机构安装空间。


交付周期

    主设备预付款到账后 90天 (辅助设备、重要辅材类视市场情况而定)