参数特征
①腔体压升率：≤5Pa/12 h（煅烧后）；
②型号：PVT-MF-50；
③尺寸：整机长×宽×高 = 3200×1150×3600mm；
④炉室内径：φ400mm；
⑤极限真空度：5 x 10-4 Pa（分子泵启动后1.5h）；
⑥感应线圈行程：200mm；
⑦炉底盘行程：1250mm；
⑧加热方式：感应加热，
⑨炉内最高温度：2400℃；
⑩加热电源：Pmax=40Kw，频率8-12KHz；
⑪测温方式：双色红外测温；
⑫测温范围：900-3000℃；
⑬控温精度：±1℃；
⑭控压范围：1-700mbar；
⑮控压精度：1-10mbanr，±0.5%F.S；
10-100mbanr，±0.5%F.S；
100-700mbanr，±0.5%F.S；
⑯装料方式：下部装料，操作方便、安全;
⑰可选配置：坩埚旋转、双测温点。
设计优点
①满足6吋/8吋晶体生长；
②满足半绝缘和导电型晶体生长环境，坩埚旋转提升温度均匀性，线圈提升减少扰动；
③双层石英筒水冷结构，可有效提高腔室寿命，提供稳定的长晶环境，利于生长高品质晶体；
④上下温度实时精确监控便于工艺调试；
⑤可选恒功率、恒电流、恒温工作模式；
⑥一键智能启动，减少人工干预，利于规模化生产；
⑦PVT-MF-50型碳化硅感应式长晶炉适用于生长高质量六吋碳化硅单晶、高纯度碳化硅原料合成、晶体退火等领域；
⑧紧凑立体化的整机设计，方便布局，提高厂房利用率；
⑨采用高精度蝶阀和质量流量计控制炉内长晶压力，提供稳定的长晶气氛。尤其在晶体生长压力下最高可达到±1Pa的控压精度。
