参数特征
①型号：PVT-RSMF-36;
②尺寸：整机长×宽×高 = 2800×1350×3660mm;
③炉室内径：900mm；
④极限真空度：6 x 10-4 Pa（分子泵启动后1.5h）
⑤腔体压升率：≤5Pa/12 h（煅烧后）
⑥坩埚轴升降行程：100mm；
⑦上炉室行程：1100mm；
⑧坩埚轴旋转速度：0.05-5rpm；
⑨加热方式：电阻或感应加热
⑩炉内最高温度：2500℃
⑪加热电源标配：50kW+20kW
⑫测温方式：双色红外测温；
⑬测温范围：900-3000℃；
⑭控温精度：±1℃
⑮控压范围：1-700mbar；
⑯控压精度：1-10mbanr，±0.5%F.S
10-100mbanr，±0.5%F.S
100-700mbanr，±0.5%F.S
⑰可选配置：双测温点、多加热器
优点利处
①结构紧凑，可采用并排布局，提高厂房利用率；
②可兼容电阻或感应加热热场。
③可配备多个加热器并独立控制，工艺调试窗口大，加热器独立控制，便于同时控制轴向和径向温度梯度；
④底部水冷坩埚轴带有中空测温孔，顶、底、侧均可配红外测温，便于温场监控和工艺调试；
⑤可选恒功率、恒电流、恒温工作模式；
⑥满足6-8寸半绝缘/导电晶体生长需求；
⑦具备坩埚旋转功能，精度0.01rpm，便于营造径向温度均匀环境，满足厚晶体生长；
⑧PVT-RS-40型碳化硅电阻式长晶炉适用于生长高质量6-8吋碳化硅单晶、高纯度碳化硅原料合成、晶体退火等领域；
⑨采用高精度蝶阀和质量流量计控制炉内长晶压力，提供稳定的长晶气氛；
⑩装料方式：上部装料，操作方便、安全。
